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        出售BSC014N04LSI和FGD3040G2-F085和CSD18503Q5A和SIHP18N50C晶体管

        产品单价¥7.00

        伊人大焦香网222编号184481785556719

        发布日期2020年01月03日

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        关 键 词BSC014N04LSI,FGD3040G2-F085,CSD18503Q5A,SIHP18N50C

        所在城市广东 深圳

        商家名称 深圳市明佳达电子有限公司

        主营业务 集成电路(IC)

        企业官网

        业务热线: 联系我们
      • BSC014N04LSI 8-PowerTDFN FGD3040G2-F085 TO-252AA
        CSD18503Q5A 8-PowerTDFN SIHP18N50C TO-220-3

        一、BSC014N04LSI    晶体管 - FET,MOSFET - 单:

        FET 类型 N 通道
        技术 MOSFET(金属氧化物)
        漏源电压(Vdss) 40V
        电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta),100A(Tc)
        驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
        不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.45 毫欧 @ 50A,10V
        不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
        不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V
        Vgs(最大值) ±20V
        不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 20V
        FET 功能 -
        功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),96W(Tc)
        工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
        安装类型 表面贴装型
        供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
        封装/外壳 8-PowerTDFN



        二、FGD3040G2-F085    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单:

        IGBT 类型 -
        电压 - 集射极击穿(最大值) 400V
        电流 - 集电极(Ic)(最大值) 41A
        不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.25V @ 4V,6A
        功率 - 最大值 150W
        开关能量 -
        输入类型 逻辑
        栅极电荷 21nC
        25°C 时 Td(开/关)值 -/4.8µs
        测试条件 300V,6.5A,1 千欧,5V
        工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
        安装类型 表面贴装型
        封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
        供应商器件封装 TO-252AA



        三、CSD18503Q5A  晶体管 - FET,MOSFET - 单:

        FET 类型 N 通道
        技术 MOSFET(金属氧化物)
        漏源电压(Vdss) 40V
        电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Ta),100A(Tc)
        驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
        不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.3 毫欧 @ 22A,10V
        不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
        不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V
        Vgs(最大值) ±20V
        不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2640pF @ 20V
        FET 功能 -
        功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),120W(Tc)
        工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
        安装类型 表面贴装型
        供应商器件封装 8-VSONP(5x6)
        封装/外壳 8-PowerTDFN



        四、SIHP18N50C 晶体管 - FET,MOSFET - 单:

        FET 类型 N 通道
        技术 MOSFET(金属氧化物)
        漏源电压(Vdss) 500V
        电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
        驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
        不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 270 毫欧 @ 10A,10V
        不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
        不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V
        Vgs(最大值) ±30V
        不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF @ 25V
        FET 功能 -
        功率耗散(最大值) 223W(Tc)
        工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
        安装类型 通孔
        供应商器件封装 TO-220AB
        封装/外壳 TO-220-3

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